G-F2L2RDWGNG

Транзисторы

Транзисторы

IRF640N, (MOSFET) N-канал, 200 В, 18 А, TO-220

IRF640N, (MOSFET) N-канал, 200 В, 18 А, TO-220

Корпусto-220​Диапазон рабочих температур-55…+150 °СЕмкость, пФ1470Максимальное напряжение сток-исток..

50.00 сом

Транзистор 2N3904, NPN 40В 0.2А 0.35Вт [TO-92]

Транзистор 2N3904, NPN 40В 0.2А 0.35Вт [TO-92]

Технические параметры:Структураnpn​Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э..

15.00 сом

Транзистор 2N5401 PNP 150В 0.6А 0.6Вт [TO-92]

Транзистор 2N5401 PNP 150В 0.6А 0.6Вт [TO-92]

Структураpnp​Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В160​Макс..

15.00 сом

Транзистор 2SA1015-Y PNP 50В 0.15А [TO-92]

Транзистор 2SA1015-Y PNP 50В 0.15А [TO-92]

Технические параметры:Структураpnp​Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э..

15.00 сом

Транзистор 2SC1815-GR NPN 50В 0.15А [TO-92]

Транзистор 2SC1815-GR NPN 50В 0.15А [TO-92]

Технические параметры:Структураnpn​Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э..

15.00 сом

Транзистор BC546 NPN 65В 0,1А TO-92

Транзистор BC546 NPN 65В 0,1А TO-92

Технические параметрыСтруктураnpn​Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э...

15.00 сом

Транзистор BC547 NPN 45В 0,1А TO-92

Транзистор BC547 NPN 45В 0,1А TO-92

Характеристики транзистора BC547B:Структура: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и ..

15.00 сом

Транзистор S8050 NPN 40В 0,5А [TO-92]

Транзистор S8050 NPN 40В 0,5А [TO-92]

Характеристики транзистора S8050:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная ..

15.00 сом

Транзистор S8550 PNP 0.5А 40В [TO-92]

Транзистор S8550 PNP 0.5А 40В [TO-92]

Характеристики транзистора S8050:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная ..

15.00 сом

Показано с 1 по 9 из 9 (всего 1 страниц)