IRF540N — это N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для управления высокими токами и мощностями, с низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)_{DS(on)}DS(on)). Этот транзистор подходит для использования в различных силовых приложениях, таких как источники питания, системы управления двигателями, инверторы, а также для усилителей и других высоконагруженных схем. Благодаря своей высокой пропускной способности по току и низкому тепловому сопротивлению, IRF540N является популярным выбором среди разработчиков силовой электроники. Характеристики:
Тип: N-канальный MOSFET
Максимальное напряжение сток-исток (VDS_{DS}DS): 100 В
Максимальный ток (ID_{D}D): до 33 А
Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)_{DS(on)}DS(on)): 0,044 Ом
Мощность рассеяния (PD_{D}D): до 150 Вт
Входное напряжение затвора (VGS_{GS}GS): 10-20 В
Корпус: TO-220
Применение: Управление высокими токами, силовые схемы, системы управления моторами, преобразователи
Область применения: IRF540N широко применяется в схемах, требующих управления высокими токами и надежной коммутации, включая импульсные источники питания, системы управления электродвигателями, аудиоусилители и различные силовые устройства. Его можно использовать в Arduino-проектах для управления нагрузками, такими как двигатели, светодиодные ленты и другие элементы с высокой потребляемой мощностью.