N-канальный MOSFET IRF640N — это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для управления высоковольтными и высокотоковыми нагрузками. Этот транзистор отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения, что делает его идеальным для применения в мощных схемах. Характеристики:
Тип транзистора: N-канальный MOSFET
Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 200 В
Максимальный ток стока (Id): 18 А
Максимальная мощность рассеяния: 125 Вт
Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0.18 Ом
Напряжение затвора (Vgs): ±20 В
Корпус: TO-220
Преимущества:
Высокая пропускная способность по току
Низкое сопротивление канала в открытом состоянии
Высокая скорость переключения
Надёжность в условиях работы с высокими нагрузками
Удобный корпус TO-220 для радиатора
Применение:
Импульсные источники питания (SMPS)
Управление двигателями постоянного тока
Инверторы и преобразователи напряжения
Реле на полевых транзисторах
Схемы усиления и коммутации мощности
Рекомендации по использованию:
Используйте радиатор для отвода тепла при работе с высокими нагрузками.
Убедитесь, что напряжение на затворе не превышает допустимого диапазона.